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概要CS4230E是一款采用 CMOS工藝 ,電窯式升壓型 GF類單 聲道音頻功放,可以為4Ω的負載O供最高4.8W的連續功 率;CS4230E芯片內部固定的28倍增益,有效的減少了 外圍元器件的數量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式 即可保證D類模式下強勁的功率輸出,又可兼顧系統在有 FM的情況下,消除功放對系統的干擾;CS4230E具有獨 特的防破音(NCN)功 能,可根據輸出信號的大小自動調整 功放的增益,實現更 舒適的昕覺感受,其4種防破音模式 的選擇為不同的工程要求O供了最大的挑選余地 ;另 外,CS4230E還具備電源自適應能力,當電源電壓低的時 候,功放會自動降低增益,從而減少功放的輸出功率.CS4230E的外圍只有低成本的阻窯器件,在以徨電池供電 的移動式音頻設備中,CS4230E是理想的音頻子系統的功 放解決方案.CS4230E的全差分架構和極高的PSRR有效地提 高了CS4230E對RF噪聲的能力 。另外CS4230E內置了過流保護,短路保護和過熱保護,有效的保護芯片在異常的工作條件下不被損壞。CS4230E供了ESOP16的封裝類型,真額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。特征集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類D類兩種工作模式GF類音頻功放先進的電源自適應功能,輸出功率Po at 10% THD+N, VBAT = 4.2VRL = 4 Ω+33μH 4.8W(NCN OFF@D MODE)Po at 1% THD+N, VBAT = 4.2VRL = 4 Ω+33μH 4.0W(NCN OFF@D MODE)輸入電壓范圍:2.7~5.5V關斷電流:<1μA待機電流: 3mAD類調E頻率: 300KHz4種防破音模式可選AERC專利M術,O供優異的全帶寬EMIDE能力優異的"嚼莫-咔暗"(pop-noise)雜音DE能力高的電源DE比(PSRR):在217Hz下為-80dB過溫保護過壓保護封裝ESOP16L應用藍牙音箱 便攜式音頻設備 管腳定義及說明
概要
CS4230E是一款采用 CMOS工藝 ,電窯式升壓型 GF類單 聲道音頻功放,可以為4Ω的負載O供最高4.8W的連續功 率;CS4230E芯片內部固定的28倍增益,有效的減少了 外圍元器件的數量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式 即可保證D類模式下強勁的功率輸出,又可兼顧系統在有 FM的情況下,消除功放對系統的干擾;CS4230E具有獨 特的防破音(NCN)功 能,可根據輸出信號的大小自動調整 功放的增益,實現更 舒適的昕覺感受,其4種防破音模式 的選擇為不同的工程要求O供了最大的挑選余地 ;另 外,CS4230E還具備電源自適應能力,當電源電壓低的時 候,功放會自動降低增益,從而減少功放的輸出功率.CS4230E的外圍只有低成本的阻窯器件,在以徨電池供電 的移動式音頻設備中,CS4230E是理想的音頻子系統的功 放解決方案.CS4230E的全差分架構和極高的PSRR有效地提 高了CS4230E對RF噪聲的能力 。另外CS4230E內置了過流保護,短路保護和過熱保護,有效的保護芯片在異常的工作條件下不被損壞。CS4230E供了ESOP16的封裝類型,真額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
特征集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類D類兩種工作模式GF類音頻功放先進的電源自適應功能,輸出功率Po at 10% THD+N, VBAT = 4.2VRL = 4 Ω+33μH 4.8W(NCN OFF@D MODE)Po at 1% THD+N, VBAT = 4.2VRL = 4 Ω+33μH 4.0W(NCN OFF@D MODE)輸入電壓范圍:2.7~5.5V關斷電流:<1μA待機電流: 3mAD類調E頻率: 300KHz4種防破音模式可選AERC專利M術,O供優異的全帶寬EMIDE能力優異的"嚼莫-咔暗"(pop-noise)雜音DE能力高的電源DE比(PSRR):在217Hz下為-80dB過溫保護過壓保護封裝ESOP16L
應用藍牙音箱 便攜式音頻設備 管腳定義及說明